MST / MEMS / Nano

Winzig, aber intelligent.

Bei den Personal Devices oder auch beim Auto, MEMS geben den Ton an. Und sie sind die Treiber des IoT, des Internet der Dinge. Eine neue Industrie bildet sich aus, die tägliche neue Ideen und Anwendungen hervorbringt. Wir helfen dabei, die Technologien dafür zu produzieren, von der Entwicklung bis zum fertigen Produkt.

Die richtige Lösung für Messaufgaben von Micro Electro Mechanical Systems

Das ist unsere Domäne - hier sind FRT Messgeräte zu Hause. Wir bieten optische Oberflächenmesstechnik für verschiedene Anwendungen von Micro Electro Mechanical Systems.

WAFERDICKE / TTV

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SEMI-konforme Dicken- und TTV-Messung

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Vollständige Waferdickenkarte in 3D-Ansicht, polierter Si-Wafer

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4 Profile eines polierten Si-Wafers zeigen die Dickenvariationen an

TOPOGRAPHIE (FORM, STRUKTUR)

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Standard Topographiemessung

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Danfoss SiliconPower GmbH, Flächenmessung eines Leadframe-Moduls

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Topographiemessung von Leiterbahnen

GLOBALE / LOKALE WAFERPARAMETER

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Messung von globalen und lokalen Waferparametern

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Vollständige Waferdickenkarte in 3D-Ansicht

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Waferkarte mit lokalen Parametern (LTIR, LTV, LT, LT, LFPD, etc.)

STUFENHÖHE / -BREITE

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Stufenhöhen- und Breitenmessung

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Stufenhöhe und -breite einer Quarzspule

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Profilmessung entlang der roten Linie, Stufenhöhen- und Breitenanalyse

VIAS / TSV

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Vias mit hohem Aspektverhältnis (TSV)

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Flächenmessung von Through-Silicon-Vias (TSV)

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Profilmessung eines einzelnen TSV (Tiefe, Obere & Untere CD)

HYBRIDE METROLOGIE

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Kombination verschiedener Sensoren, automatisierte Berechnung der gewünschten Probenparameter

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Beispiel für hybride Metrologie

TRENCHES

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Trenches mit hohem Aspektverhältnis

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Flächenmessung eines Wafers mit Trenches

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Profilmessung eines einzelnen Trench

MEMBRAN-BOW

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Automatisierte Durchbiegungsmessung an MEMS-Membranen

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Flächenmessung einer SiO2-Membran

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Profilmessung einer SiO2-Membran

THERMISCHE BEANSPRUCHUNG

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Optische Metrologie bei variabler Probentemperatur

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Verformung eines Chips relativ zur Leiterplatte bei 30°C

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Verzug eines Chips relativ zur Leiterplatte bei 120°C

BGA / BUMPS

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Bump-Abmessungen und Koplanarität

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Topographiemessung eines Bump-Arrays

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Profilmessung entlang der roten Linie, Bump-Höhen- und Breitenanalyse

RAUHEIT

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DIN/ISO-konforme Rauheits- und Welligkeitsmessung

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Flächenmessung eines Kontaktpads auf einer Leiterplatte, Sa=0,367 μm

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Profilmessung eines Kontaktpads auf einer Leiterplatte, Ra=0,096 μm

SCHICHTDICKE / SCHICHTSTAPEL

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Dünnschicht- und Schichtstapelmessung

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Photoresist auf einem Si-Wafer

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Schichtdicke eines Stapels: SiO2-Schicht auf einem Polycarbonat-Substrat

PROBENDICKE (IR)

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SEMI-konforme Dicken- und TTV-Messung

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Dicke eines Si-Wafers, nach dem Schleifen

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Dicke einer Siliciummembran

BOW / WARP

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SEMI-konforme Bow- und Warp-Messung

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Komplette Waferkarte eines Si-Wafers in 3D-Ansicht mit Darstellung des Bow

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Profil der oberen Topographie eines Si-Wafers

STRESS

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Wafer-Stress-Messung

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Wafer-Bow vor der Dünnfilm-Beschichtung

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Wafer-Bow nach der Dünnfilm-Beschichtung

ROLL-OFF BETRAG / RANDFORM

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SEMI-konforme Roll-off-Messung

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Roll off Betrag (RoA) Profilmuster

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Profil am Rand eines Si-Wafers

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