Halbleiter / Mikroelektronik

Halbleiter / Mikroelektronik

In der Halbleiterindustrie überschlagen sich die Innovationen, doch neue Lösungen haben sich noch nicht wirklich etabliert. Das gilt teilweise auch für die Anwendungen, die von IoT oder Automobilelektronik getrieben sind. Schlagwörter wie 3D IC, TSV oder FOWLP hört man überall.

Die richtige Lösung für Messaufgaben aus der Halbleiterindustrie und Mikroelektronik

Das ist unsere Domäne - hier sind FRT Messgeräte zu Hause. Wir bieten optische Oberflächenmesstechnik für verschiedene Anwendungen in der Halbleiterindustrie und Mikroelektronik.

 

FRT bietet Messgeräte für verschiedenste Industrien!

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WAFERDICKE / TTV

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SEMI-konforme Dicken- und TTV-Messung

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Vollständige Waferdickenkarte in 3D-Ansicht, polierter Si-Wafer

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4 Profile eines polierten Si-Wafers zeigen die Dickenvariationen an

GLOBALE / LOKALE WAFERPARAMETER

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Messung von globalen und lokalen Waferparametern

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Vollständige Waferdickenkarte in 3D-Ansicht

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Waferkarte mit lokalen Parametern (LTIR, LTV, LT, LT, LFPD, etc.)

SCHICHTDICKE / SCHICHTSTAPEL

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Dünnschicht- und Schichtstapelmessung

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Schichtdicke, SiO2-Schicht auf einem Si-Wafer

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Schichtdickenanalyse einer 500 nm SiO2-Schicht auf einem Si-Wafer unter Verwendung eines Fit-Algorithmus

HYBRIDE METROLOGIE

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Kombination verschiedener Sensoren, automatisierte Berechnung der gewünschten Probenparameter

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Beispiel für hybride Metrologie

BUMPS

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Bump-Abmessungen und Koplanarität

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Flächenmessung eines Bump-Arrays

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Profilmessung eines Bump-Arrays

RAUHEIT

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DIN/ISO-konforme Rauheits- und Welligkeitsmessung

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Flächenmessung eines polierten Si-Wafers, sRa = 0,766 nm

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Profilmessung eines Si-Wafers, Ra = 13,8 nm

VERBINDUNGSSCHICHT / DICKE / HOHLRÄUME

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Bindungsschichtdicke mittels IR-Technologie

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Vier Dickenprofile (Sternenmuster) über einen gebondeten Wafer

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Detektion von Hohlräumen in der Bindungsschicht

STRUKTURERKENNUNG (IR)

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Aufnahme verborgener Strukturen mit dem IR Mikroskop

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DISCO HI-TEC EUROPE GmbH, Stealth-Laserrillen in einem blanken Si-Wafer

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Ausrichtungsmarke auf einem cavity-SOI-Wafer

OVERLAY

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Overlay Messung

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Automatische Erkennung von Markierungen und Bestimmung der Overlay Verschiebung

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Overlay-Map: Beispiel für die Visualisierung von Overlay-Fehlern

VIAS / TSV

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Vias und TSV mit hohem Aspektverhältnis

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Flächenmessung an einem einzelnen TSV

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Profilmessung eines einzelnen TSV (Tiefe, obere und untere CD)

TRENCHES

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Trenches mit hohem Aspektverhältnis

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Flächenmessung eines Wafers mit Trenches

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Profilmessung eines einzelnen Trench

DEFEKTINSPEKTION / FEHLSTELLEN

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Defektinspektion

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3D-Topographie eines Si-Wafers mit Fehlstellen

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3D-Topographie einer Vertiefung auf einem Si-Wafer

TOPOGRAPHIE (FORM, STRUKTUR)

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Standard Topographiemessung

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Flächenmessung einer SiO2-Membran

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Profilmessung einer SiO2-Membran

BOW / WARP

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SEMI-konforme Bow- und Warp-Messung

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Komplette Waferkarte eines Si-Wafers in 3D-Ansicht mit Darstellung des Bow

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Profil der oberen Topographie eines Si-Wafers

WAFERDICKE (IR)

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Waferdicke und Schichtdicke mittels IR-Technologie

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Dicke eines Si-Wafers, nach dem Schleifen

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Dicke einer Si-Membran

RESTSILICIUMDICKE (RST)

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RST-Messung mittels IR-Technologie

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Dicke eines gebondeten Si-Wafers, Device-Wafer vor dem Schleifen

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Dicke eines gebondeten Si-Wafers, Device-Wafer nach dem Schleifen/Ätzen

STRESS

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Wafer-Stress-Messung

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Wafer-Bow vor der Dünnfilm-Beschichtung

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Wafer-Bow nach der Dünnfilm-Beschichtung

NANOTOPOGRAPHIE

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Nanotopographie auf polierten und geschliffenen Wafern

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Vollflächige Messung eines 300 mm Si-Wafers

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Ergebnismap nach der Filterung zeigt die Merkmale der Nanotopographie

SÄGERIEFEN

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Automatisches Erkennen von Sägeriefen

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Flächenmessung von Sägeriefen auf einem Si-Wafer

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Topographie eines Si-Wafers entlang der blauen Linie

ROLL-OFF BETRAG / RANDFORM

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SEMI-konforme Roll-off-Messung

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Roll off Betrag (RoA) Profilmuster

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Profil am Rand eines Si-Wafers

THERMISCHE BEANSPRUCHUNG

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Optische Metrologie bei variabler Probentemperatur

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Verformung eines Chips relativ zur Leiterplatte bei 30°C

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Verzug eines Chips relativ zur Leiterplatte bei 120°C

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