Halbleiter / Mikroelektronik

SEMI-konforme Dicken- und TTV-Messung

Vollständige Waferdickenkarte in 3D-Ansicht, polierter Si-Wafer

4 Profile eines polierten Si-Wafers zeigen die Dickenvariationen an

Messung von globalen und lokalen Waferparametern

Vollständige Waferdickenkarte in 3D-Ansicht

Waferkarte mit lokalen Parametern (LTIR, LTV, LT, LT, LFPD, etc.)

Dünnschicht- und Schichtstapelmessung

Schichtdicke, SiO2-Schicht auf einem Si-Wafer

Schichtdickenanalyse einer 500 nm SiO2-Schicht auf einem Si-Wafer unter Verwendung eines Fit-Algorithmus

Kombination verschiedener Sensoren, automatisierte Berechnung der gewünschten Probenparameter

Beispiel für hybride Metrologie

Bump-Abmessungen und Koplanarität

Flächenmessung eines Bump-Arrays

Profilmessung eines Bump-Arrays

DIN/ISO-konforme Rauheits- und Welligkeitsmessung

Flächenmessung eines polierten Si-Wafers, sRa = 0,766 nm

Profilmessung eines Si-Wafers, Ra = 13,8 nm

Bindungsschichtdicke mittels IR-Technologie

Vier Dickenprofile (Sternenmuster) über einen gebondeten Wafer

Detektion von Hohlräumen in der Bindungsschicht

Vias und TSV mit hohem Aspektverhältnis

Flächenmessung an einem einzelnen TSV

Profilmessung eines einzelnen TSV (Tiefe, obere und untere CD)

Trenches mit hohem Aspektverhältnis

Flächenmessung eines Wafers mit Trenches

Profilmessung eines einzelnen Trench

Defektinspektion

3D-Topographie eines Si-Wafers mit Fehlstellen

3D-Topographie einer Vertiefung auf einem Si-Wafer

Standard Topographiemessung

Flächenmessung einer SiO2-Membran

Profilmessung einer SiO2-Membran

SEMI-konforme Bow- und Warp-Messung

Komplette Waferkarte eines Si-Wafers in 3D-Ansicht mit Darstellung des Bow

Profil der oberen Topographie eines Si-Wafers

Waferdicke und Schichtdicke mittels IR-Technologie

Dicke eines Si-Wafers, nach dem Schleifen

Dicke einer Si-Membran

RST-Messung mittels IR-Technologie

Dicke eines gebondeten Si-Wafers, Device-Wafer vor dem Schleifen

Dicke eines gebondeten Si-Wafers, Device-Wafer nach dem Schleifen/Ätzen

Wafer-Stress-Messung

Wafer-Bow vor der Dünnfilm-Beschichtung

Wafer-Bow nach der Dünnfilm-Beschichtung

Nanotopographie auf polierten und geschliffenen Wafern

Vollflächige Messung eines 300 mm Si-Wafers

Ergebnismap nach der Filterung zeigt die Merkmale der Nanotopographie

Automatisches Erkennen von Sägeriefen

Flächenmessung von Sägeriefen auf einem Si-Wafer

Topographie eines Si-Wafers entlang der blauen Linie

SEMI-konforme Roll-off-Messung

Roll off Betrag (RoA) Profilmuster

Profil am Rand eines Si-Wafers

Optische Metrologie bei variabler Probentemperatur

Verformung eines Chips relativ zur Leiterplatte bei 30°C

Verzug eines Chips relativ zur Leiterplatte bei 120°C